RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2137
2808
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link