A-DATA Technology DDR4 2400 16GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 30

Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.6 16.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.6 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 23
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 19.6
Скорость записи, Гб/сек

11.5 17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 21300

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3019 4000

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Kingston 99U5663-006.A00G 16GB

Kingston 99U5663-006.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

модули RAM