RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
10.4
Скорость записи, Гб/сек
11.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3019
2213
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link