RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
56
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
3448
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link