RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
56
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
3606
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link