RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
56
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
50
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
1976
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link