RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
56
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2110
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link