RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2323
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link