RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
56
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
3221
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link