RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
56
Около -211% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.1
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
3529
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link