RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
85
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.2
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
85
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
13.2
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
1838
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link