RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
56
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.6
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
21.0
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
4240
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link