RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
63
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
63
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2061
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link