RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2513
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link