RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
66
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.9
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
51
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1081
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link