RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3285
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link