RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
66
Около -214% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
21
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3255
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link