A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 18.7

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 66

Около -144% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.4 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 27
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 18.7
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 3772

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingston 9905624-043.A00G 8GB

Kingston 9905624-043.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM