RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
66
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3895
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link