RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3291
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link