RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3772
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link