RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
66
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2987
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link