RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2354
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link