RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
66
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3061
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link