RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2764
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Air Computers SRL MXUD3L08160011XB7R 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link