RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2764
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link