RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
66
Около -187% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2339
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link