RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2409
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link