RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
66
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2876
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BD186D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link