RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2436
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link