RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
66
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2201
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link