RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
66
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.7
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
39
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
7.7
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1768
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link