RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
66
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3050
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link