RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
66
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2621
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link