RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
66
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2773
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link