RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
66
Около -267% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
18
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3529
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link