RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
66
Около -187% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2532
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link