RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3741
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link