RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2846
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-026.A00LF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link