RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2231
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link