RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3729
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link