A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 15.3

Среднее значение в тестах

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 46

Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 29
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 18.4
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 3583

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB

модули RAM