A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 11.0

Среднее значение в тестах

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

Причины выбрать
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 46

Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 15.1
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 1847

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

модули RAM