RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3042
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link