A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 12.3

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 46

Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 23
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 17.5
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 3087

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

модули RAM