RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3097
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link