RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2809
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link