RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2984
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link