RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.1
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2552
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link