RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3027
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link