RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3001
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link